1Gb DDR2 SDRAM被組織為16Mbit x 8個I/ o x 8個bank或
8Mbit × 16i / o × 8銀行設備。該同步裝置達到高
速度雙數據速率傳輸速率高達1066Mb/秒/引腳(DDR2-)
1066)作一般申請。
該芯片設計符合以下關鍵DDR2 SDRAM特性，如附加延遲的post CAS，寫延遲=讀延遲
- 1、片外驅動(OCD)阻抗調整和芯片端接。
所有的控制和地址輸入與一對外部最終提供的差分時鐘同步。輸入鎖存于不同時鐘的交叉點(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一對雙向頻閃燈(DQS和DQS)在一個源同步閃光燈離子。地址總線用于傳遞行、列和銀行地址
RAS/CAS多路復用方式的信息。例如，1Gb(x8)設備
接收14/10/3地址。
1Gb DDR2器件采用單路1.8V±0.1V電源供電
1.8V±0.1V VDDQ。
1Gb DDR2器件有60ball FBGA(x8)和84ball兩種
FBGA
128Mx8 K4T1G084QJ-BCE6 K4T1G084QJ-BCF7 K4T1G084QJ-BCE7 K4T1G084QJ-BCF8 60 FBGA
128Mx8 K4T1G084QJ-BIE6 K4T1G084QJ-BIF7 K4T1G084QJ-BIE7 K4T1G084QJ-BIF8 60 FBGA
64Mx16 K4T1G164QJ-BCE6 K4T1G164QJ-BCF7 K4T1G164QJ-BCE7 K4T1G164QJ-BCF8 84 FBGA
64Mx16 K4T1G164QJ-BIE6 K4T1G164QJ-BIF7 K4T1G164QJ-BIE7 K4T1G164QJ-BIF8 84 FBGA
