MT47H32M16NF-25E:H DDR2 SDRAM

MT47H128M4 – 32 Meg x 4 x 4 banks

MT47H64M8 – 16 Meg x 8 x 4 banks

MT47H32M16 – 8 Meg x 16 x 4 banks

MT47H32M16NF-25E:H•VDD = 1.8v±0.1v, VDDQ = 1.8v±0.1v
•jedec標準1.8V I/O (sstl_18兼容)
•差分數據頻閃(DQS, DQS#)選項
•4n位預取架構
•重復輸出頻閃(RDQS)選項為x8
•DLL對齊DQ和DQS轉換與CK
•4個內部銀行并行操作
•可編程CAS延遲(CL)
•發布CAS附加延遲(AL)
•寫時延=讀時延- 1t
CK
•可選擇的爆發長度:4或8
•可調的數據輸出驅動強度
•64ms, 8192周期刷新
•片內終止(ODT)
•工業溫度(IT)選項
•通過無鉛認證
•支持JEDEC時鐘抖動規范