bychip可替代_APM2701AC導讀
MOS管分類按溝道分類，場效應管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強型：增強型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時漏極電流也為零； 耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時漏極電流不為零。
它是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。什么是場效應管？場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。
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電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。
（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。
VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區：恒流區在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區，也叫飽和區，當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區（飽和區）。 注：MOS管輸出特性的恒流區（飽和區），相當于三極管的放大區。
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DMP3099L-7
這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。
AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
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正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態了。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。
?場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
文章來源：www.bychip.cn
