bychip可替代APM3095PUC-TRL導讀

基礎知識中 MOS 部分遲遲未整理，實際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！。

mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導體。

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bychip可替代

P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。

（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。

在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。

這個簡單點，包括生產難度，實現成本，實現方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。對于人類發展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。

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AM30N10-70D-T1-PF

這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導體組成的結構來控制導體的電阻。在 MOS管中，半導體材料通常是硅。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。MOS管是一種場效應管，其主要作用是在電路中實現信號放大、開關控制等功能。

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正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態了。電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。

如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。

文章來源：www.bychip.cn