bychip可替代APM2301CAC-TRL導讀
因此PMOS管的閾值電壓是負值。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。什么是MOS管？這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語說明一下： MOS，是MOSFET的縮寫。
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bychip可替代
MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。
P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。
電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。
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AO4421
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。
AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。
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最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。
P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。
文章來源：www.bychip.cn
