bychip可替代AP6906GH-HF導讀
具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應管屬于電壓控制型半導體器件。
因此PMOS管的閾值電壓是負值。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。
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bychip可替代
這個簡單點，包括生產難度，實現成本，實現方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。對于人類發展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。
VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。
MOS管導通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的導通條件 MOS管的開關條件： N溝道：導通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導通； P溝道：導通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導通。
摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
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AO4828
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。
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Gate，電介質和backgate保持原樣。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。
?場效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
文章來源：www.bychip.cn
