bychip可替代AP85U03GH-HF導讀

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。什么是MOS管？這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語說明一下： MOS，是MOSFET的縮寫。

在實際應用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主。 結合下圖與上面的內容也能解釋為什么實際應用以增強型為主，主要還是電壓為0的時候，D極和S極能否導通的問題。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。

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電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。

我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。

（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。

VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。

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AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

金屬柵極被置于氧化物層之上，而這層氧化物又被放置在半導體材料的表面上。

這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

場效應管的工作電流不應超過 ID 。一般實際應用作為開關用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會超過 ID。ID(導通電流) 最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。

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假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。

在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。定義上，載流子流出source，流入drain。

文章來源：www.bychip.cn