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2、金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）（本文的主角）。場效應管主要有兩種類型： 1、結型場效應管（junction FET—JFET)（不是本文討論范圍）。

圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。

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MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。

在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區： 可變電阻區在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關系，所以可以看作是一個線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區MOS管相當就是一個由VGS控制的可變電阻。

電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。

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FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

場效應管的工作電流不應超過 ID 。一般實際應用作為開關用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會超過 ID。ID(導通電流) 最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

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如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。

這種情況下，電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。

文章來源：www.bychip.cn