bychip可替代AO4724導讀

由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。一個工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。

市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

AO4724" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />

VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區：恒流區在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區，也叫飽和區，當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區（飽和區）。 注：MOS管輸出特性的恒流區（飽和區），相當于三極管的放大區。

我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。

VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。

摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

AO4724" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。

MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導體組成的結構來控制導體的電阻。在 MOS管中，半導體材料通常是硅。

AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

AO4724" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現了。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。

在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。定義上，載流子流出source，流入drain。

文章來源： www.bychip.cn