bychip可替代AO6800導讀

MOS管原理本文MOS管的原理說明以 增強型NMOS 為例。為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎的 N 型半導體 和 P 型半導體。了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運用MOS管，而不是死記怎么用。

市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

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。對于N溝道增強型的MOS管，當Vgs >Vgs(th)時，MOS就會開始導通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。

此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。VGS(th)(開啟電壓) 當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。

（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區： 可變電阻區在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關系，所以可以看作是一個線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區MOS管相當就是一個由VGS控制的可變電阻。

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AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。

AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。

這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

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因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

文章來源： www.bychip.cn