bychip可替代AOD240導讀

在實際應用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主。 結合下圖與上面的內容也能解釋為什么實際應用以增強型為主，主要還是電壓為0的時候，D極和S極能否導通的問題。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。

在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。這樣的器件被認為是對稱的。

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（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。

3、開關速度快，開關損耗低，特別適應PWM輸出模式。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 4、在電路設計上的靈活性大，柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩定、抗輻射能力強，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。所以現在芯片內部集成的幾乎都是MOS管。 2、導通電阻低，可以做到幾個毫歐的電阻，極低的傳導損耗，。MOS管特點 1、輸入阻抗非常高，因為MOS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關。 5、極強的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。

摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區：恒流區在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區，也叫飽和區，當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區（飽和區）。 注：MOS管輸出特性的恒流區（飽和區），相當于三極管的放大區。

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AP2307GN

這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導體組成的結構來控制導體的電阻。在 MOS管中，半導體材料通常是硅。

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穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了，有更多的電子從襯底被拉了上來。當MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發生的情況。同時，空穴被排斥出表面。

如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。

文章來源： www.bychip.cn