bychip可替代AOD403導讀
在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。這樣的器件被認為是對稱的。
2、金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）（本文的主角）。場效應管主要有兩種類型： 1、結型場效應管（junction FET—JFET)（不是本文討論范圍）。
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bychip可替代
這個簡單點，包括生產難度，實現成本，實現方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。對于人類發展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。
此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。VGS(th)(開啟電壓) 當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。
（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。
電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。
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AP6906GH-HF
MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導體組成的結構來控制導體的電阻。在 MOS管中，半導體材料通常是硅。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。
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假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。
這種情況下，電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。
文章來源： www.bychip.cn
