bychip可替代_AO7800導讀
在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。這樣的器件被認為是對稱的。
在實際應用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主。 結合下圖與上面的內容也能解釋為什么實際應用以增強型為主，主要還是電壓為0的時候，D極和S極能否導通的問題。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。
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bychip可替代
以P型半導體為襯底，在一個 低摻雜容度 的 P 型半導體上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。
在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。
P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進入可變電阻區： 可變電阻區在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關系，所以可以看作是一個線性電阻，當VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區MOS管相當就是一個由VGS控制的可變電阻。
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FDC6306P
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。MOS管是一種場效應管，其主要作用是在電路中實現信號放大、開關控制等功能。
APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
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如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。
因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。
文章來源： www.bychip.cn
