bychip可替代FDS4559-NL導讀

這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。

金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。

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bychip可替代

。對于N溝道增強型的MOS管，當Vgs >Vgs(th)時，MOS就會開始導通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。

對于人類發展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。這個簡單點，包括生產難度，實現成本，實現方式等等。

PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。PMOS價格貴，廠商少，型號少。（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。

我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。

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IRLML6402TRPBF

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

金屬柵極被置于氧化物層之上，而這層氧化物又被放置在半導體材料的表面上。

是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。ID(導通電流) 最大漏源電流。 場效應管的工作電流不應超過 ID 。一般實際應用作為開關用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會超過 ID。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

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電場反轉，往表面吸引空穴排斥電子。正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態了。

P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。

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