bychip可替代_FDS6875-NL導讀
N 型半導體也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質半導體。
所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。 結合下圖與上面的內容也能解釋為什么實際應用以增強型為主，主要還是電壓為0的時候，D極和S極能否導通的問題。在實際應用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主。
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VGS(th)(開啟電壓) 當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。
PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。PMOS價格貴，廠商少，型號少。（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。
對于人類發展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。這個簡單點，包括生產難度，實現成本，實現方式等等。
MOS管的導通條件 MOS管的開關條件： N溝道：導通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導通； P溝道：導通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導通。 MOS管導通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。
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AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
在 MOS管中，半導體材料通常是硅。MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導體組成的結構來控制導體的電阻。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
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MOS電容的特性能被用來形成MOS管。其中一個稱為source，另一個稱為drain。Gate，電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。
如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。
文章來源：www.bychip.cn
