bychip可替代_FDS8926A-NL導讀

市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。

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bychip可替代

MOS管的導通條件 MOS管的開關條件： N溝道：導通時 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時導通； P溝道：導通時 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時導通。 MOS管導通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|。

注：MOS管輸出特性的恒流區（飽和區），相當于三極管的放大區。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進入恒流區：恒流區在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區，也叫飽和區，當MOS用來做放大電路時就是工作在恒流區（飽和區）。

在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。 摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。

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IRF540NSTRPBF

FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。MOS管是一種場效應管，其主要作用是在電路中實現信號放大、開關控制等功能。

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P-channel MOS(PMOS)管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。

有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。

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