FGH60N60SMD 是一款分立式IGBT管品牌：ONSEMI/安森美 封裝：TO-247-3 引腳數：3 PIN（30個/管）

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。

FGH60N60SMD的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid FGH60N60SMD
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 Active
Objectid 4001116392
包裝說明 ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
制造商包裝代碼 340CK
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 17 weeks 3 days
風險等級 6.73
Samacsys Description ON SEMICONDUCTOR - FGH60N60SMD - IGBT,N CH,FAST,W/DIO,600V,120A,TO247
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 5.28
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS
外殼連接 COLLECTOR
最大集電極電流 (IC) 120 A
集電極-發射極最大電壓 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落時間（tf） 68 ns
門極發射器閾值電壓最大值 6 V
門極-發射極最大電壓 20 V
JEDEC-95代碼 TO-247AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 600 W
認證狀態 Not Qualified
最大上升時間（tr） 70 ns
表面貼裝 NO
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 POWER CONTROL
晶體管元件材料 SILICON
標稱斷開時間 (toff) 163 ns
標稱接通時間 (ton) 59 ns

本公司主營是二三極管，MOS管和邏輯IC等，這邊有ONSEMI/安森美，ST，TI，NXP和英飛凌等一系列的原裝進口的電子元器件，如果你這邊有需要的話，可以加上面的聯系方式，這邊也可以報價或者幫你解決一些問題

下面是我們公司的一些產品，如果有需要的話，可以聯系

LM317DCYR TI(德州儀器)
TPS61021ADSGR TI(德州儀器)
TPS2H160BQPWPRQ1 TI(德州儀器)
IRFB4227PBF Vishay(威世)
VNH7100BASTR ST(意法)
74HC00D NXP(恩智浦)
PIC18F45K80-I/PT Microchip(微芯)
TMS320VC33PGEA120 TI(德州儀器)
ADSP-TS201SABP-050 ADI(亞德諾)
XC7K325T-1FFG900I XILINX(賽靈思)
STM32L053R8T6 ST(意法)
TLP2362 TOSHIBA(東芝)
FS32K144HFT0MLL NXP(恩智浦)
LD1117S33TR ST(意法)
TPS1H200AQDGNRQ1 TI(德州儀器)
MK60DN512VLQ10 Freescale(飛思卡爾)
NCV1117ST33T3G ON(安森美)
REF5050AIDR TI(德州儀器)
STM32F051K8U6 ST(意法)
LPC1778FBD208 NXP(恩智浦)
MC68HC11E1CFNE2 Freescale(飛思卡爾)
TM4C1230C3PMI7R TI(德州儀器)
MKV46F256VLL16 Freescale(飛思卡爾)
DP83848KSQ TI(德州儀器)
SN65LVDT2DBVR TI(德州儀器)
ADS1299IPAGR TI(德州儀器)
SIM800C SIMCOM(芯訊通無線)
FQD17P06TM Fairchild(飛兆/仙童)
TPS5410DR TI(德州儀器)
VNHD7008AYTR ST(意法)
MT48LC16M16A2P-6A:G micron(鎂光)
MK20DX256VLH7 Freescale(飛思卡爾)
LM3886TF TI(德州儀器)
K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG(三星)
NUC029LAN Nuvoton(新唐)
FQT5P10TF Freescale(飛思卡爾)
MPC5200CVR400B MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32L151C8T6A ST(意法)
MSP430G2553IPW20R TI(德州儀器)
KSZ8895MQXIA Microchip(微芯)
1SMB5920BT3G ON(安森美)
LMR16030SDDAR TI(德州儀器)
1N4007 China(國產)
MIMXRT1064CVL5B NXP(恩智浦)
LMV321ILT ST(意法)
ISL8204MIRZ-T Renesas(瑞薩)
88E1518-A0-NNB2C000 Marvell(美滿)
K4B2G1646F-BYMA SAMSUNG(三星)
OPA2171AIDR TI(德州儀器)
TMS320F2811PBKA TI(德州儀器)
PIC16F1503-I/SL MIC(昌福)
EP3C10E144C8N ALTERA(阿爾特拉)
MCP3421A0T-E/CH MIC(昌福)
AT91SAM7X256C-AU Atmel(愛特梅爾)
INA2133U TI(德州儀器)
AT28HC64B-12JU Atmel(愛特梅爾)
TAS5630BDKDR TI(德州儀器)
TPA3251D2DDVR TI(德州儀器)
MKL16Z128VFT4 Freescale(飛思卡爾)
XCKU040-2FFVA1156I XILINX(賽靈思)
ADM7150ACPZ-5.0 ADI(亞德諾)
EPCQ16ASI8N INTEL(英特爾)
TMS320F28377SPTPS TI(德州儀器)
74HC595PW NXP(恩智浦)
LMV324IDR TI(德州儀器)
TMS320F28075PTPT TI(德州儀器)
FGH60N60SMD ON(安森美)