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IXTA08N100D2

發布時間:2024/5/23 18:25:00 訪問次數:61 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 800 mA
Rds On-漏源導通電阻: 21 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 14.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Enhancement
系列: IXTA08N100
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel

單位重量: 4 g


PMMT591A,215 三極管
PMV213SN,215 MOS(場效應管)
74HC75D,652
74HC75PW
74HC75DB
74HC7540D
74HC7540D
74HC7540DB
74HC7541DB
74HC7541PW
74HC7541DB
74HC7540DB
BSP51,115 其他連接器
1N4728A,113 穩壓(齊納)二極管
BAS16WF 開關二極管
BAS16W
PCA9632DP1 其他被動元件
PUMH20,115 三極管
BUK7Y6R0-60EX MOS(場效應管)
BUK7Y65-100EX

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