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IXTA08N100D2HV

發布時間:2024/5/23 18:30:00 訪問次數:60 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263HV-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 800 mA
Rds On-漏源導通電阻: 21 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 14.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 60 W
通道模式: Depletion
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 48 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 57 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 34 ns
典型接通延遲時間: 28 ns

單位重量: 2.500 g


PTVS6V5P1UTP
PMDT290UNEYL
IP4292CZ10-TBR,115 ESD二極管
1N4729A,113 穩壓(齊納)二極管
1N4729A
MC74HC595ADR2G
BCW32,235
BCW32
BF620,115
PHKD6N02LT,518 MOS(場效應管)
PMN80XP,115
BAV199 開關二極管
BAV199
BAV199
BAV199LT1G
BAV199W
BCV62B
BCV62A,215
BAT54 整流器件
BAS29,215 雪崩二極管
BUK9207-30B,118 低壓MOS管
BUK9209-40B

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