制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 32 A
Rds On-漏源導通電阻: 320 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6.5 V
Qg-柵極電荷: 195 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFK32N100
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
上升時間: 250 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 10 g
IXFN80N50Q3
IXFN82N60Q3
IXFR15N100Q3
IXFR24N100Q3
IXFR32N100Q3
IXFR32N80Q3
IXFR44N50Q3
IXFR48N60Q3
IXFR64N50Q3
IXFR64N60Q3
IXFR80N50Q3
IXFT15N100Q3
IXFT18N100Q3
IXFT30N50Q3
