制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-264-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 44 A
Rds On-漏源導通電阻: 190 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6.5 V
Qg-柵極電荷: 185 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 kW
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFK44N80
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
上升時間: 300 ns
25
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
單位重量: 10 g
IXFA3N120
IXFH10N100
IXFH11N80
IXFH12N100
IXFH12N90
IXFH13N100
IXFH13N80
IXFH13N90
IXFH15N100
IXFH15N60
IXFH15N80
IXFH20N60
IXFH21N50
