PMBT3906VS的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid PMBT3906VS
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8254307755
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Date Of Intro 2017-02-01
風險等級 7.3
Samacsys Manufacturer Nexperia
Samacsys Modified On 2023-07-31 22:47:53
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
峰值回流溫度（攝氏度） 260
端子面層 TIN
處于峰值回流溫度下的最長時間 30

PMBT3906VS 雙極性晶體管的特性及應用

引言

PMBT3906VS是一款常見的雙極性晶體管（BJT），屬于P型晶體管的一種，廣泛應用于各種電子電路中。BJT是通過兩種不同類型的半導體材料（P型和N型）相互接觸而形成的一種電子器件，能夠放大電流并協調信號。PMBT3906VS的設計旨在滿足多種應用中的高性能需求，尤其是在低功耗和低電流條件下，表現出色。

PMBT3906VS的基本特性

PMBT3906VS的主要特性包括其集電極-發射極電壓、工作電流范圍和增益等參數。這些特性決定了其在電路中的適用場景。其集電極-發射極最大電壓（Vce(max)）通常為40V，工作電流（Ic）最大值可達到200mA。在增益方面，PMBT3906VS的直流電流增益（β）通常在100至300之間，這對增大信號的應用至關重要。

在頻率響應方面，PMBT3906VS的截止頻率（fT）在數百MHz的范圍內，允許其在高頻電路中工作，這意味著它可以適用于高速度信號處理的需求。此外，PMBT3906VS在開關特性上也表現良好，可用于開關電源、放大器等電路設計中。

器件結構與工作原理

PMBT3906VS的基本結構由三個區域組成：發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。發射極與基極之間形成P-N結，是該器件的關鍵區域。在施加適量的正向電壓于基極與發射極之間時，發射極的空穴會注入到基極，進而在集電極與基極之間提供一個很高的電流輸出，而這個輸出電流相較于基極的輸入電流要大得多。

在非飽和狀態下，PMBT3906VS可以有效地進行小信號放大。基極電流（Ib）與集電極電流（Ic）之間的關系可以用以下方程表示：

\[ I_c = \beta \cdot I_b \]

其中，β為直流電流增益，代表器件在小信號條件下放大能力。該特性使得PMBT3906VS成為各種放大器設計的優選組件。

應用領域

PMBT3906VS因其優良的電氣特性而被廣泛應用于多個領域。首先，由于其較高的增益和適中的工作電流范圍，該器件在音頻放大器、電信設備中的放大電路中應用廣泛，用于增強信號強度。其次，其快速開關特性使其適用于開關電源，特別是在逆變器和電源適配器中，能夠有效地控制功率轉化效率。

此外，PMBT3906VS還可用作開關元件，在數字電路中執行級聯功能。在邏輯電路設計中，其低飽和電壓和高線性度使其成為推動CMOS電路集成的理想選擇。相較于其他類型的晶體管，PMBT3906VS更適合于那些對功耗有嚴格限制的場合，比如便攜式設備和傳感器。

性能優化與設計考慮

在實際電路設計中，使用PMBT3906VS時需綜合考慮器件的熱穩定性和使用環境。例如，溫度變化可能影響其工作特性，導致增益下降或偏移，因此，在選擇偏置電路時，需進行細致的計算和實驗驗證。此外，合理的封裝選擇在一定程度上也能提升其散熱性能，從而增強器件的可靠性。

在電源設計中，適時引入合適的保護電路，將有助于提升器件的抗干擾能力。例如，電流保護電路可以有效限制運行中的電流達到安全范圍，提高整體電路的穩定性。最后，建議采用適當的濾波組件以減少輸出信號的波動，提升信號的品質。

現代發展與未來趨勢

隨著電子技術的飛速發展，PMBT3906VS及其類似器件的應用也在不斷演化。當前，低功耗設計和微型化趨勢已經成為行業主流。為了適應這一需求，PMBT3906VS的技術研發也在不斷進步，新一代材料的應用正在提升器件的性能和效率。

在未來的市場中，PMBT3906VS可能會與其他半導體器件，如場效應晶體管（FET）、集成電路（IC）等形成互補，支持更多復雜系統的搭建。此外，其在新能源汽車、智能家居等新興領域中的應用前景也相當火熱，將為這一傳統器件注入新的活力。

PMBT3906VS Nexperia(安世)
W25N02KVZEIR WINBOND(華邦)
AD5290YRMZ50 ADI(亞德諾)
TPA3110LD2PWPR TI(德州儀器)
ADF4355BCPZ ADI(亞德諾)
CY7C1019DV33-10ZSXI Cypress(賽普拉斯)
MIC4452YM Microchip(微芯)
PIC12LF1840T-I/SN Microchip(微芯)
STM32F301C8T6 TI(德州儀器)
GD32E230K8T6 GD(兆易創新)
HR601680 HANRUN(漢仁)
MC33262DR2G ON(安森美)
MUR3060WTG ON(安森美)
VNH5200ASTR-E ST(意法)
MP86941-CGQVT-Z MPS(美國芯源)
STM1813LWX7F ST(意法)
W25Q64FWSSIG WINBOND(華邦)
L80RE-M37 移遠 Quectel
MC78M12BDTRKG ON(安森美)
NCP1396BDR2G ON(安森美)
SC28C94A1A Philips(飛利浦)
NCV8403ADTRKG ON(安森美)
W5200 WIZnet
AD9832BRUZ ADI(亞德諾)
BQ25616RTWR TI(德州儀器)
M51995AP Renesas(瑞薩)
MCIMX7D2DVM12SD NXP(恩智浦)
STM32F051C8T7 ST(意法)
W971GG6SB-25 WINBOND(華邦)
AT25160B-MAHL-T Microchip(微芯)
INA2128U TI(德州儀器)
NT5AD512M16A4-HR Nanya Technology
NVGS3443T1G ON(安森美)
HA12187FP-EL-E Renesas(瑞薩)
P1021NSE2HFB Freescale(飛思卡爾)
BALF-NRG-02D3 ST(意法)
M393A4K40EB3-CWE SAMSUNG(三星)
NCP1075STBT3G ON(安森美)
SAK-TC233LP-32F200N Infineon(英飛凌)
SSM3J332R TOSHIBA(東芝)
5CGXFC5C6F27C7N INTEL(英特爾)
NCV1413BDR2G ON(安森美)
AD5542CRZ ADI(亞德諾)
FT4232HQ FTDI(飛特帝亞)
VCNL4200 Vishay(威世)
WJLXT971ALE INTEL(英特爾)
ADM2485BRWZ ADI(亞德諾)
DSP56F803BU80 MOTOROLA(摩托羅拉)
MT25QL128ABA8ESF-0AAT micron(鎂光)
ASSR-5211-301E Avago(安華高)
STM32F427ZIT7 ST(意法)
WG82583V INTEL(英特爾)
NE555 China(國產)
PCF8563 NXP(恩智浦)
ADS1256IDB Burr-Brown(TI)
LM5017MR TI(德州儀器)
LP2992AIM5-5.0 NS(國半)
STM32L451RET6 ST(意法)
LMV7239M5X NS(國半)
MT46H128M16LFDD-48IT:C micron(鎂光)
THGBMJG6C1LBAB7 TOSHIBA(東芝)
AD8626ARZ ADI(亞德諾)
CY7C1481BV33-133AXI Cypress(賽普拉斯)
IRF540NS Infineon(英飛凌)
MMPF0100F6AZES Freescale(飛思卡爾)
OP262GS ADI(亞德諾)
900-83310-0001-000 NVIDIA
AD8302ARUZ ADI(亞德諾)
BCM54616SC0HKFBG Broadcom(博通)
CY62147EV30LL-45BVXIT Cypress(賽普拉斯)
MCHC912B32CFUE8 Freescale(飛思卡爾)
MP6907GJ-Z MPS(美國芯源)
STM32L152VBT6 ST(意法)
A5191HRTLG ON(安森美)
BCM4360KMLG Broadcom(博通)
BSS308PE Infineon(英飛凌)
H26M64208EMRQ SK(海力士)
AD8034ARTZ ADI(亞德諾)
IRLML2402 Infineon(英飛凌)
LNK306GN Raspberry Pi
LT1615ES5 LINEAR(凌特)
MAX485EESA Maxim(美信)
HD64F3337CP16V HIT(日立)
LTC5549IUDB LINEAR(凌特)
SAK-TC1797-512F180EFAC Infineon(英飛凌)
SN65HVD231D TI(德州儀器)
STM32L451CCU6 ST(意法)
TMS320F28374DPTPT TI(德州儀器)
TPS54612PWP TI(德州儀器)
ADMC401BST ADI(亞德諾)
ADN8835ACPZ ADI(亞德諾)
MIMXRT1172AVM8A NXP(恩智浦)
SSW-124
TEA2016AAT NXP(恩智浦)
TLP280-4 TOSHIBA(東芝)
ADM1485JRZ ADI(亞德諾)
EP3C25E144I7 ALTERA(阿爾特拉)
L9301 ST(意法)
LTM8055EY LINEAR(凌特)
MKL16Z256VMP4 Freescale(飛思卡爾)
SN65HVD1050D TI(德州儀器)
SS03-0B00-00 PLX
STM8L101F3U6 ST(意法)
TMS320SPC032PAGT
WGI211ATSLJXZ INTEL(英特爾)
XL4001 XLSEMI(芯龍)
TXB0304RUTR TI(德州儀器)
TPS62173DSGR TI(德州儀器)
HMC8038LP4CETR ADI(亞德諾)
INA188IDR TI(德州儀器)
LMR50410YQDBVRQ1 TI(德州儀器)
TMS320F28379DPTPS TI(德州儀器)
TPS74901RGWR TI(德州儀器)
ISO7141CCDBQR TI(德州儀器)
ATF22V10C-15PU Atmel(愛特梅爾)
LM124DR TI(德州儀器)
ACS713ELCTR-20A-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
ACPL-217-500E Broadcom(博通)
LCMXO2-1200HC-4TG144C Lattice(萊迪斯)
ATSAMC21E18A-MUT Microchip(微芯)