IRFS4227TRLPBF的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid IRFS4227TRLPBF
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8006012375
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 12 weeks
風險等級 0.75
Samacsys Description Infineon IRFS4227TRLPBF N-Channel MOSFET, 62 A, 200 V HEXFET, 3-Pin D2PAK
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.12
雪崩能效等級（Eas） 140 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 200 V
最大漏極電流 (ID) 62 A
最大漏源導通電阻 0.026 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 330 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 260 A
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

IRFS4227TRLPBF 場效應管的特性與應用

場效應管（Field Effect Transistor, FET）是現代電子設備中不可或缺的重要組件之一，其中，IRFS4227TRLPBF作為一款高性能場效應管，廣泛應用于各種電路中，包括開關電源、直流電機控制和電力系統等。本文將重點分析該元件的特性、應用場合以及它在電力電子中扮演的角色。

一、基本特性

IRFS4227TRLPBF是一種N溝道增強型場效應管，具有緊湊的封裝和較高的功率處理能力。它的主要參數包括以下幾個方面：

1. 閾值電壓（VGS(th)）：通常在2V至4V之間。閾值電壓是指在柵源電壓(VGS)達到此值時，FET開始導通的條件。因此，了解該參數至關重要，以確保在具體應用中可以有效控制導通和關斷狀態。

2. 導通電阻（RDS(on)）：在VGS為10V的條件下，該場效應管的導通電阻通常維持在10mΩ左右。低導通電阻意味著在導通狀態下的功耗較低，這對于功率放大和高頻開關非常重要，也有助于提升系統的整體效率。

3. 最大漏極電流（ID）：該元件可以承受高達80A的漏極電流，適合在高功率場合使用，如電機驅動和大功率開關電源設計。

4. 最大漏極源電壓（VDS）：IRFS4227TRLPBF的最大漏極源電壓為55V。這一參數在設計高壓電路時需要特別注意，以避免超標導致器件損壞。

5. 開關速度：場效應管的開關速度較快，通常在納秒級別。這使得它們在高頻開關應用中具備良好的表現，特別適合現代開關電源和高頻開關電路。

二、工作原理

場效應管的工作原理基于電場效應，通過施加在柵極上的電壓來控制源極與漏極之間的電流。N溝道場效應管的柵源電壓（VGS）越高，漏極電流（ID）就越大。當VGS降低至閾值電壓以下時，漏極電流基本上會被切斷。這一特性使得場效應管能夠高效地實現開關控制，廣泛應用在功率調節和信號放大等場合。

IRFS4227TRLPBF的柵極采用了氧化層隔離，避免了漏電流的產生，確保了在高溫、高壓操作環境下的穩定性。同時，其高依賴溫度系數使得器件在溫度變化時仍能保持良好的性能，這是在設計復雜電子系統時必須考慮的重要因素。

三、應用場景

1. 開關電源（SMPS）：開關電源廣泛應用于各類電子設備中，其中使用FET作為開關器件可以有效提高效率，降低能耗。IRFS4227TRLPBF憑借其低RDS(on)和高開關速度，能夠在高頻下高效工作，減少開關損耗。

2. 電機控制：在電氣驅動領域，場效應管作為開關器件被應用于直流電機和步進電機的控制。IRFS4227TRLPBF的高漏極電流能力使其可以在大功率電機控制系統中發揮重要作用，配合合適的驅動電路，可以實現精準控制和高響應速度。

3. 電力放大：該場效應管在無線通訊和音頻放大器中也得到應用，通過其快速的開關特性和良好的增益特性，可以實現高質量的信號放大。

4. 電源管理：在電池管理和電源傳輸系統中，IRFS4227TRLPBF能夠有效控制充放電過程，避免過壓和過流，保障電池的使用壽命。同時，其低功耗特性使得電源管理系統在高效運作的同時減少熱量產生。

四、市場前景

隨著新能源汽車、智能家居和可再生能源等高新技術的發展，對高效率、高性能的場效應管需求日益增長。IRFS4227TRLPBF憑借其卓越的電氣性能和可靠性，在這些領域中展現了廣闊的市場前景。此外，隨著半導體技術的進步，未來可能會出現更為高效的FET器件，IRFS4227TRLPBF的設計和制造工藝也將不斷優化，以滿足更高端市場的需求。

在高頻和高功率應用領域，IRFS4227TRLPBF的性能無疑提高了電路的效率和可靠性，促使其在多個行業的廣泛應用。隨著對能效和環保要求的增加，這種元件在未來的應用前景將更加明朗，推動整個行業的技術進步和創新。

IRFS4227TRLPBF INFINEON(英飛凌)
TPS73133DBVR TI(德州儀器)
REF3430IDBVR TI(德州儀器)
SN74HCT573DWR TI(德州儀器)
TLV62585DRLR TI(德州儀器)
MA4P504-1072T L-com
TCAN1042HVDRQ1 TI(德州儀器)
ATF1504AS-10AU44 Microchip(微芯)
TPS61085PWR TI(德州儀器)
AD8009ARZ-REEL7 ADI(亞德諾)
SN74LV240APWR TI(德州儀器)
VN751STR ST(意法)
TMS5700714APGEQQ1 TI(德州儀器)
TPS549A20RVER TI(德州儀器)
UCC27524DSDR TI(德州儀器)
ES1D-E3/61T Vishay(威世)
MCP1402T-E/OT Microchip(微芯)
TPS22915CYFPR TI(德州儀器)
LMP90100MHE/NOPB TI(德州儀器)
OPA656N/250 TI(德州儀器)
HSMS-2820-TR1G Avago(安華高)
SN74LV595APWR TI(德州儀器)
BTM7741G Infineon(英飛凌)
LCMXO2-2000HC-4TG100I Lattice(萊迪斯)
LTC1877EMS8#TRPBF LINEAR(凌特)
MSP430F5310IPTR TI(德州儀器)
ACS723LLCTR-40AU-T ALLEGRO(美國埃戈羅)
PIC16F1789-I/PT Microchip(微芯)
S25FL256SAGNFI003 SPANSION(飛索)
SS24 TOSHIBA(東芝)
L78L15ABUTR ST(意法)
MT41J256M16HA-125:E micron(鎂光)
ADM706TARZ-REEL ADI(亞德諾)
IND83205
TPS79401DGNR TI(德州儀器)
AD203SN ADI(亞德諾)
LMR36520ADDAR TI(德州儀器)
SN74LVC1G97DBVR TI(德州儀器)
SY7304DBC SILERGY(矽力杰)
AMIS30660CANH2RG ON(安森美)
LTC4100EG#TRPBF ADI(亞德諾)
TMS320F28377SPTPQ TI(德州儀器)
TPS54240QDGQRQ1 TI(德州儀器)
BSS84AK Nexperia(安世)
IPB083N10N3G Infineon(英飛凌)
MAX3485CSA+T Maxim(美信)
UC2843D8TR ON(安森美)
XC2C64A-7VQG44I XILINX(賽靈思)
AG604-89G TriQuint (超群)
PS2801C-4-F3-A Renesas(瑞薩)
STM32L151VDT6 ST(意法)
W25Q64FVSSIQ WINBOND(華邦)
AM4376BZDND100 TI(德州儀器)
INA197AIDBVR TI(德州儀器)
BTS5010-1EKB Infineon(英飛凌)
IRFB4229PBF IR(國際整流器)
MMBZ5231BLT1G LRC(樂山無線電)
TVP5150AM1IPBSR TI(德州儀器)
CP2102N-A01-GQFN28R SILICON LABS(芯科)
INA198AIDBVR TI(德州儀器)
BTT6050-2EKA Infineon(英飛凌)
MC33153DR2G ON(安森美)
LM76002RNPR TI(德州儀器)
SRD-12VDC-SL-C 松樂
MMBFJ310LT1G ON(安森美)
TMP100MDBVREP TI(德州儀器)
74LVC2G04GW NXP(恩智浦)
MC912D60ACPVE8 MOTOROLA(摩托羅拉)
SIM808 SIMCOM(芯訊通無線)
ULN2804A TI(德州儀器)
XC3S400-4TQG144C XILINX(賽靈思)
PCF2112CT/1 NXP(恩智浦)
SGM2019-3.3YN5G/TR SGMICRO(圣邦微)
TOP258PN Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
MC33883HEG NXP(恩智浦)
FDME1034CZT ON(安森美)
HMC608LC4 Hittite Microwave
M74VHC1GT125DF1G ON(安森美)
NUP4301MR6T1G ON(安森美)
TSOP38238 Vishay(威世)
XC2S50-5PQG208C XILINX(賽靈思)
74LVC08APW NXP(恩智浦)
AD9173BBPZ ADI(亞德諾)
AP7366-W5-7 Diodes(美臺)
NSI8121N1
STB37N60DM2AG ST(意法)
TPS7B4253QPWPRQ1 TI(德州儀器)
PIC18F47K40-I/PT Microchip(微芯)
SN74CBTD3861PWR TI(德州儀器)
LMH1219RTWR TI(德州儀器)
MP62551DJ-LF-Z MPS(美國芯源)
NC7SZ08M5X-L22090 ON(安森美)
PESD5V2S2UT Nexperia(安世)
TMS320C5535AZHHA10 TI(德州儀器)
IRF9388TRPBF Infineon(英飛凌)
LM393APWR TI(德州儀器)
NCV887103D1R2G ON(安森美)
SMP1330-005LF Skyworks(思佳訊)
TLE6251DS Infineon(英飛凌)
TPS62203DBVR TI(德州儀器)
LM66200DRLR TI(德州儀器)
MKL14Z64VFT4 Freescale(飛思卡爾)
REF3333AIDBZR TI(德州儀器)
SN74LVC04APWR TI(德州儀器)
SN74LVC1G240DBVR TI(德州儀器)
ADS125H02IRHBR TI(德州儀器)
AG203-63G TriQuint (超群)
BFR540 NXP(恩智浦)
CM1200DC-34N Mitsubishi Electric (三菱)
HCPL-181-00AE Avago(安華高)
PDS5100-13 Diodes(美臺)
PEX8624-BB50RBIG Broadcom(博通)
PIC18F46K80-E/PT Microchip(微芯)
10CL010YE144C8G INTEL(英特爾)
CS4272-CZZR CirrusLogic(凌云邏輯)
MSP430F1491IPMR TI(德州儀器)
PZT2222AT1G ON(安森美)
3314G-1-103E Bourns(伯恩斯)
AD526JNZ ADI(亞德諾)
ADP3050ARZ-5 ADI(亞德諾)
TIP147 Freescale(飛思卡爾)
TPS3705-30DR TI(德州儀器)
ADSP-BF533SBBCZ500 ADI(亞德諾)
FAN7387MX Freescale(飛思卡爾)
MAX2769ETI+ Maxim(美信)
MP3V5004DP NXP(恩智浦)
MPX5700D Freescale(飛思卡爾)
RZ7889
SBAV99LT1G ON(安森美)