ESDM3551MXT5G 的詳細參數

參數名稱 參數值
Source Content uid ESDM3551MXT5G
Brand Name onsemi
是否無鉛 不含鉛
生命周期 End Of Life
Objectid 8308842833
零件包裝代碼 X3DFN-2
包裝說明 X3DFN2, 2 PIN
制造商包裝代碼 152AF
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Malaysia
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.10.00.50
Factory Lead Time 2 days
風險等級 9.33
Samacsys Description Lifetime - ESD Protection Diode, CC and SBU Protection (5.5 V – USB 3.x), 21 pF
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 7
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW CAPACITANCE
最大擊穿電壓 7 V
最小擊穿電壓 5.6 V
擊穿電壓標稱值 6.3 V
最大鉗位電壓 8.2 V
配置 SINGLE
二極管元件材料 SILICON
二極管類型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代碼 R-PBCC-N2
JESD-609代碼 e4
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 CHIP CARRIER
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性 BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 0.25 W
參考標準 IEC-61000-4-2, 4-5; ISO 10605
最大重復峰值反向電壓 5.5 V
最大反向電流 0.1 µA
反向測試電壓 5.5 V
表面貼裝 YES
技術 AVALANCHE
端子面層 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 NO LEAD
端子位置 BOTTOM
處于峰值回流溫度下的最長時間 30

靜電和浪涌保護技術的研究

引言

隨著現代科技的快速發展，各類電子設備在日常生活和工業應用中變得無處不在。這些設備在其運行過程中，常常會受到靜電放電（ESD）和浪涌（surge）的影響。為了確保這些電子設備的穩定性和可靠性，對靜電和浪涌的保護已成為設計和制造過程中不可或缺的重要環節。

靜電放電（ESD）現象

靜電放電是指因靜電積累而產生的電流瞬間釋放現象。靜電的產生通常源于物體表面上的電子轉移，例如通過摩擦、接觸或分離等方式。當靜電積聚到一定程度時，就可能以放電的形式釋放出來。ESD對電子設備造成的損害往往是不可逆的，可能導致設備永久性失效或性能下降。

浪涌現象

浪涌是指短時間內電壓或電流的急劇增加，通常是由雷擊、電網切換或設備啟動等原因引起的。浪涌會對電子設備造成瞬時的高電壓沖擊，從而導致元器件損壞或系統異常。浪涌不僅僅影響單一設備，有時也可能引發整個電路或系統的失效。

靜電和浪涌的危害

靜電和浪涌帶來的危害通常表現為兩方面：直接破壞和間接影響。直接破壞是指由于超高電壓或電流造成的物理損壞，例如集成電路的燒毀或電容器的擊穿。間接影響則體現在設備性能的不穩定性上，如信號干擾、數據損失或系統崩潰等情況。這些問題通常會導致終端用戶的不滿，并可能給企業帶來經濟損失。

ESD和浪涌保護的設計考慮

在電子設備的設計過程中，充分考慮ESD和浪涌保護措施是至關重要的。有效的保護措施需要從電路布局、元器件選擇、材料選擇等多個維度進行系統設計。一般來說，常用的保護措施包括：

1. 電路布局優化：合理的電路布局能夠有效降低ESD和浪涌對設備的影響。設計時應盡量縮短信號線的長度，避免信號線與地線之間存在較大電壓差，從而減少感應電壓的產生。

2. 選擇合適的元器件：在選擇元器件時，應優先考慮具有較高耐壓和耐流特性的元器件，確保即便在遭受ESD和浪涌沖擊時也能保持良好的性能。

3. 使用保護元件：為電子設備增加一些專用的保護元件，如TVS（二極管）和MOV（金屬氧化物壓敏電阻），能夠在突發情況下為電路提供有效的保護。

4. 屏蔽技術：通過對電路進行屏蔽，可以有效減少外部電磁干擾對設備的影響。屏蔽材料的選擇和配置需根據具體應用場景進行合理設計。

ESD和浪涌保護器件的分類

針對靜電和浪涌保護，市場上已有多種類型的保護器件。這些器件各有其特定應用場景，常用的包括：

1. TVS二極管：TVS二極管以其超快的響應速度和較高的放電能力被廣泛用于靜電和浪涌防護。其工作原理在于當電壓達到一定閾值時，TVS二極管迅速導通，將多余的電流引入地線，從而保護后端電路。

2. MOV（壓敏電阻）：MOV是一種非線性電阻器，它的電阻值隨施加電壓變化而變化。在正常工作狀態下，MOV的電阻很高，不會對電路造成影響；但在浪涌或過電壓情況下，MOV的電阻會迅速降低，吸收浪涌能量，保護后續設備。

3. 變阻器和電抗器：變阻器和電抗器可以通過調整電阻值或電感值來抑制浪涌電流，減小對敏感元件的沖擊。合適的電阻和電感值選擇對于提升電路耐浪涌能力至關重要。

設計規范與標準

為了保障電子設備在靜電和浪涌環境中的可靠性，業界制定了多項標準與規范。如IEC 61000-4-2（靜電放電抗擾度標準）及IEC 61000-4-5（浪涌抗擾度標準），這些標準提供了具體的測試方法和評估標準，以幫助設備設計人員在設計階段考慮和實施ESD及浪涌保護措施。

未來發展方向

在目前的技術基礎上，隨著對電子設備的功能持續提升，以及對可靠性的要求越來越高，靜電和浪涌保護將在未來技術發展中面臨新的挑戰。更高的集成度和更小的元器件可能會引發全新的ESD和浪涌問題。這就要求相關領域的研究人員在材料學、電子工程和系統設計等多方面進行深耕，探索新材料、新工藝以及新型保護方案來應對未來的發展需求。

綜上所述，靜電和浪涌保護作為電子設備設計中的重要一環，不僅能夠提高設備的可靠性，還對于推動科技進步和產業發展具有深遠的意義。

ESDM3551MXT5G ON(安森美)
BAS16 ON(安森美)
VND5160JTR-E ST(意法)
MCP23017-E/SO Microchip(微芯)
M95M02-DRMN6TP ST(意法)
EPM7256SRI208-10N ALTERA(阿爾特拉)
M24512-RMN6TP ST(意法)
EP4CE75F23I7N ALTERA(阿爾特拉)
ATSHA204A-SSHDA-B Microchip(微芯)
TLV75733PDBVR TI(德州儀器)
74HC74D NXP(恩智浦)
MCIMX515DJM8C NXP(恩智浦)
MC9S12C64CFAE Freescale(飛思卡爾)
AD8561ARZ ADI(亞德諾)
ADS8509IBDB TI(德州儀器)
AD2S1210WDSTZ ADI(亞德諾)
TLE6288R Infineon(英飛凌)
TPD1E10B06DPYR TI(德州儀器)
IRLML2803TRPBF Infineon(英飛凌)
TPS61252DSGR TI(德州儀器)
TPS61194PWPRQ1 TI(德州儀器)
TLE4250-2G Infineon(英飛凌)
CPC1017NTR IXYS(艾賽斯)
LM317MDT-TR ON(安森美)
ASM330LHHTR ST(意法)
L7805ABD2T-TR ST(意法)
TLP521-1GB TOSHIBA(東芝)
TPD4E02B04DQAR TI(德州儀器)
MBRA1H100T3G ON(安森美)
MCP23017-E/SS Microchip(微芯)
LM61495QRPHRQ1 TI(德州儀器)
BC857B Philips(飛利浦)
ACPL-332J-500E Avago(安華高)
NET2272REV1A-LF PLX
24LC16BT-I/SN MIC(昌福)
STM32F765ZIT6 ST(意法)
FSUSB30MUX Fairchild(飛兆/仙童)
HD64F2357F20V Renesas(瑞薩)
BTS5215L Infineon(英飛凌)
74HC4052PW NXP(恩智浦)
10AX027H4F34I3SG INTEL(英特爾)
MCP6001T-E/OT Microchip(微芯)
LPC1769FBD100 NXP(恩智浦)
PIC24EP512GU814-I/PH Microchip(微芯)
MK10DX128VFM5 NXP(恩智浦)
HSMP-482B-TR1G Avago(安華高)
LMC6482AIMX NS(國半)
MCF5208CVM166 MOTOROLA(摩托羅拉)
LMX2594RHA TI(德州儀器)
LT5560EDD LINEAR(凌特)
AD623ARZ-R7 ADI(亞德諾)
SN65HVD12DR TI(德州儀器)
DAC7612U/2K5 TI(德州儀器)
ISO1042BQDWVRQ1 TI(德州儀器)
IRF7240TRPBF IR(國際整流器)
L298P013TR ST(意法)
PIC16F886-I/SO Microchip(微芯)
MP2307DN-LF-Z MPS(美國芯源)
EP4CGX15BF14C8N ALTERA(阿爾特拉)
CAT4238TD-GT3 Catalyst Semiconductor
PIC16F1825-I/SL Microchip(微芯)
BSC220N20NSFD Infineon(英飛凌)
USB2517-JZX Microchip(微芯)
STM32F303VCT6 ST(意法)
MJD45H11T4G ON(安森美)
AM26C31IDR TI(德州儀器)
TLE6220GP Infineon(英飛凌)
TXS0104ERGYR TI(德州儀器)
TMS320LF2406APZS TI(德州儀器)
THVD1500DR TI(德州儀器)
PIC16F1829-I/SS Microchip(微芯)
5M2210ZF256I5N ALTERA(阿爾特拉)
THGBMJG6C1LBAIL TOSHIBA(東芝)
MCP4822-E/SN Microchip(微芯)
MBRD660CTRLG ON(安森美)
AD9912ABCPZ ADI(亞德諾)
IRF9530NPBF IR(國際整流器)
MSP430F47187IPZR TI(德州儀器)
ABA-54563-TR1G Avago(安華高)
BMI270 Bosch(博世)
TPA2013D1RGPR TI(德州儀器)
LPC1763FBD100 NXP(恩智浦)
MPC555LFMZP40 NXP(恩智浦)
EMIF02-SPK02F2 Microchip(微芯)
SN74LVC16T245ZQLR TI(德州儀器)
STW88N65M5 ST(意法)
98CX8420A0-BVI4C000 Marvell(美滿)