為了理解在CCD勢阱中電荷如何從一個位置移到另一個位置，我們觀察如圖4-38所示的結構。AD7418ARMZ取CCD中4個彼此靠得很近的電極來觀察，假定開始時有一些電荷存儲在偏壓為10V的第二個電極下面的深勢阱里，其他電極上均加有大于閾值的電壓（例如2V）。設圖4-39(a)為零時刻（初始時刻），假設過tl時刻后，各電極上的電壓變為如圖(b)所示，第二個電極仍保持為10V，第三個電極上的電壓由2V變為10V。因這兩個電極靠得很緊，它們各自的對應勢阱將合并在一起，原來在第二個電極下的電荷變為這兩個電極下勢阱所共有。若此后電極上的電壓變為如圖(d)所示，第二個電極電壓由10V變為2V，第三個電極電壓仍為10V，則共有的電荷將轉移到第三個電極下面的勢阱中，如圖(e)歷示。可見深勢阱及電荷包向右移動了一個位置。

      通過將一定規則變化的電壓加到CCD各電極上，電極下的電荷包就能沿半導體表面按一定的方向移動。通常把CCD電極分為幾組，每一組稱為一相，并施加同樣的時鐘。CCD的內部結構決定了使其正常工作所需的相數。另外，這里還必須強調指出，CCD電極間隙必須很小，電荷才能不受阻礙地從一個電極轉移到相鄰電極。