本章主要闡述了紅外敏感元件及其探測器方面的研究工作。主要介紹熱探測器的基本理論及薄膜型探測器方面的探索性的研究工作， RA8806以及晶體薄片減薄工藝、紅外探測器敏感元件制備及封裝與測試技術的具體研究工作，主要有以下幾個方面：

   (1)系統地闡述了熱探測器幾個相關的重要參數的基本概念及關系，具體包括探測率、響應率、光譜響應、響應時間等參數。

   (2)論述了熱探測器的基本原理，建立了薄膜型探測器的基本模型，討論了薄膜探測器的熱學模型及各層組成關系的相互影響，分析了不同基底厚度下的電流響應與調制頻率之間的關系、基底厚度與電流響應之間的關系及薄膜厚度對電流響應的影響。

   (3)探討并建立了基于晶體薄片式探測器的熱學模型，通過理論分析與計算，得出了探測器的最大的熱響應和電壓響應在調制頻率1~ 10Hz范圍內，同時也為后續章節闡述的氣體傳感器的光源調制頻率選擇在3Hz左右最合適提供了理論分析依據。

   (4)闡述了熱探測器制備的一些基本工藝步驟，提出了銑磨鍵合一減薄工藝方法實現晶體薄片的減薄，探討了探測器的敏感元件制備工藝流程，對于敏感元件的信號初級處理與分析，以及濾光片的性能、選擇原則與作用作了詳細的分析與探討。

   (5)闡述了探測器的集成封裝技術和方法，并進行了相關的試驗測試，試驗測試與數據分析表明探測器在1~ 10Hz范圍具有大的探測率和電壓響應，與理論分析計算一致。