可同時俘獲（產生）電子一空穴對，超復合中心的作用。晶體管發射結附近表面的復合中心濃度，AD815ARB-24決定其表面的產生一復合電流，Qi．增加，必然要降低電流使得電流增益。

   當發射結雪崩擊穿后，熱載流子從勢壘區電場獲得足夠能量，轟擊Si-Si02-界面，使有效復合中心密度即Q．。增加，這在淺結、重摻雜發射區的雙極高頻晶體管中尤為突出，它導致矗FE及輸出功率下降。

   界面態是一種表面復合中心，其產生率或復合率有一定漲落，這種漲落調制了基區表面少子產生或復合速度，從而產生了疊加在基極和集電極電流上的噪聲電流，該電流的方均值與l/f成正比，所以稱l/f噪聲。

   MOS結構的MS界面態的影響

   MESFET器件和MOS肖特基器件的核心是金屬一半導體接觸，由于半導體制備過程及金屬化過程的影響，在金屬和半導體接觸的界面會引入一層絕緣層，其厚度與工藝有關，從而形成了MOS結構的金一半接觸，同時會引入界面態電荷D．。，其對MESFET器件的夾斷電壓VP的影響可，Vei是自建電勢，w是空間電荷區寬度，E。為表面態的電中性能極，EF。為表面態的費米能級，其他參數是常見量。

   由于界面態對器件夾斷電壓的影響，從而影響器件的I-V和C-V特性，引起器件參數的漂移等可靠性問題。