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檢測硅整流橋的注意事項

發布時間:2015/8/1 18:28:04 訪問次數:603

   (1)整流橋內部整流管也可能因擊穿而造成開路損壞,此時應結合電路做具體分析。ICE3BR4765JG例如,若測得b-c間正、反向電阻均呈無窮大,則肯定是VD4已開路。

   (2)對于其他型號的整流橋,利用R×lk擋測出的正向電阻值會有差異,但判斷方法相同。亦可選擇R×100擋、R×10擋或R×1擋測量,都不會損壞整流管。此方法亦適于檢測硅整流半橋。

   (3)兩只整流管相串聯(例如圖6-19中的VDi、VD2)時.測它的正向電阻Rd。要比單獨測每只管子正向電阻后再相加的數值大一些。即Rd。>Rd。+R。。。查表6-6,單測VDi或VDz的正向電阻僅lok,Q,而Rd。一27kQ>20kS!。其原因是整流管屬于非線性器件,正向電阻與正向電流的大小有關。

   (4)采用測量負載電壓法可以測量各橋臂上整流管的正向壓降。為使測量值接近于工作值,應選擇萬用表的R×1擋測量UF。

   (5)目前市場中也有整流橋的偽劣產品存在,有的管殼上印的交、直流側標記錯位。若按所標引腳位置接人電路,就會燒毀整流橋。為安全起見,焊接前先用萬用表查明實際引腳位置與標記是否相符。倘若不符,應以實際位置為準。

   (6)使用大、中功率整流橋時需配合適的散熱器,并在二者接觸面上涂一層導熱硅脂,以降低PN結的結溫,避免過熱損壞。

   (1)整流橋內部整流管也可能因擊穿而造成開路損壞,此時應結合電路做具體分析。ICE3BR4765JG例如,若測得b-c間正、反向電阻均呈無窮大,則肯定是VD4已開路。

   (2)對于其他型號的整流橋,利用R×lk擋測出的正向電阻值會有差異,但判斷方法相同。亦可選擇R×100擋、R×10擋或R×1擋測量,都不會損壞整流管。此方法亦適于檢測硅整流半橋。

   (3)兩只整流管相串聯(例如圖6-19中的VDi、VD2)時.測它的正向電阻Rd。要比單獨測每只管子正向電阻后再相加的數值大一些。即Rd。>Rd。+R。。。查表6-6,單測VDi或VDz的正向電阻僅lok,Q,而Rd。一27kQ>20kS!。其原因是整流管屬于非線性器件,正向電阻與正向電流的大小有關。

   (4)采用測量負載電壓法可以測量各橋臂上整流管的正向壓降。為使測量值接近于工作值,應選擇萬用表的R×1擋測量UF。

   (5)目前市場中也有整流橋的偽劣產品存在,有的管殼上印的交、直流側標記錯位。若按所標引腳位置接人電路,就會燒毀整流橋。為安全起見,焊接前先用萬用表查明實際引腳位置與標記是否相符。倘若不符,應以實際位置為準。

   (6)使用大、中功率整流橋時需配合適的散熱器,并在二者接觸面上涂一層導熱硅脂,以降低PN結的結溫,避免過熱損壞。

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8-1檢測硅整流橋的注意事項

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