芯片密度從小規模集成電路( SSI)發展到甚大規模集成電路(ULSI)的進步推動_r更大尺寸芯片的開發。IRFPE50PBF分立器件和SSI芯片邊長平均約為IOO mil（0.1英寸），而ULSI芯片每邊長是500~1000  mil（0.5~I.O英寸）。集成電路足在稱為晶圓(wafer)的薄硅片（或其他半導體材料薄片，見第2章）L制造而成的。在圓形的晶圓上制造方形或長方形的芯片導致在晶圓的邊緣處剩余一螳不町使用的區域（見圖6.6），當芯片的尺寸增大時這些不叮使用的區域也隨之增大（見圖1. 11）。為_『彌補這種損失，半導體業界采用了更大尺寸的晶圓。隨著芯片的尺寸增大，1960年時的1英寸直徑的晶圓已經被200 mm和300 mm（8英寸和12英寸）的晶圓所取代因為網面積隨著其半弳平方的增加而增大，生產效率也增加_r。因此，從6英寸到12英寸，晶圓直徑翻倍，制造芯片可使用的面積增大4倍。

   預計引進450 mm（1 8英寸）直徑的晶圓年份是2012年。盡管又一次推遲，450 mm晶圓變得可用，英特爾( Intel)、臺積電(TSMC)和三星(Samsung)宣布計劃建立新的晶圓制造I：廠( fab)。成本已經成為更大的晶圓加工的一個主要障礙。一般來說，在技術層面卜‘是不可能簡單地擴大到300 mm生產線的。因此，新的工廠設施是必要的，但不是在設備供心商的設計、測試和建立可擴展能力的工藝設備之前。這些投入是昂貴和費時的、但是，更高效的生產、良品率和先進的電路調節的真正結果已經驅動產業在不斷進步7。費用因素也導致了保留較小直徑的晶網生產線。對于已建立的已經長期折舊的老產品線，幾乎沒有要移到更大晶圓上的經濟誘因。、事實上，150 mm（5.9 in又名6英寸）晶圓，以及200 mm品圓仍在使用。