元件密度的增加帶來了連線問題、，IRFPG50PBF在住宅區的比喻中，用來增加密度的策略之一是減小街道的寬度，但是到一定的程度時街道對于汽車的通·行來說就太窄九同樣的事情也會發生在集成電路設汁中，元件密度的增加和緊密封裝減小廠連線所需的空間，解決方案是在元件形成的表面上使用多層絕緣層（見圖1. 13）和導電層相互疊加的多層連線（見第13章），

   平坦化是在基片的有源晶體管和其他組件中形成的（通常是硅）．j在201 1年，英特爾公r列宣布r具有源晶體管的柵極堆疊在晶圓上的一個新的j維(3D)器件（見圖1.14）8，，該器件被稱為i柵晶體管、，通過增加柵極的表面積，該器件的性能得以增強（見第16章）.