有機殘留物是含碳的化合物， RT9166A-33GX例如指紋中的油分。這些殘留物可以在溶劑浸泡池中被去除，例如丙酮，乙醇或TCE。一般說來，要想將晶片表面的溶劑完全烘干非常困難，所以如果可能，會盡量避免用溶劑清洗晶圓。另外，溶劑經常會有雜質，從而使其本身成為污染源．

   無機殘留物是那些不含碳的物質，這樣的例子有無機酸，如鹽酸，氫氟酸。它們會在晶片制造的其他I：序中介紹。關于晶圓表面有機物和無機物的去除，有一系列的清洗方案，將在F面的部分介紹。

   化學清洗方案

   半導體工業中存在大范圍的清洗工藝。每個制造區域對于清潔度有著不同的需要，也對不同的清洗方案有著不同的經驗。在這一小節中描述的清洗方案是那些最常用的類型。當然，在不同的晶圓制造區域，它們又將有多種變化或是方案的多種不同組合。在這里描述的是在摻雜、淀積和金屬淀積前晶圓的清洗工藝（光刻膠的去除這一特例將在第8章中講解）。

   液體的化學清洗工藝通常稱為濕法工藝( wet process)或濕法清洗(wet cleaning)。浸泡型清洗在嵌入清洗臺的臺板上的玻璃、石英或是聚四氟乙烯的槽子中進行（見第4章）。如果一種清洗液需要加熱，那么槽子會坐落在一個加熱盤上，周圍被加熱用的電阻絲纏繞或者其內部有一個浸入式加熱器。化學品也可用于噴灑，應用于直接沖擊或離心分離設備中.