應用在硅基器件中的二氧化硅層的厚度的變化范圍是很大的。薄的氧化層主要有MOS器件里的柵氧化層，K4J10324QD-HC12技術進步已經允許柵的厚度達到l nm(10 A)12i。厚的氧化層主要用于場氧化層，圖7.6列出廠不同厚度范圍及其相對應的主要用途。

   熱氧化生長是非常簡單的化學反應，如圖7.7所示。這個反應甚至在室溫條件下也能發生。，可是，在實際應用中，需要用階梯式升溫方法，在合理的時間內獲得高質量的氧化層、，氧化溫度一般在9000C—1200℃之間。

   盡管化學方程式表示了硅與氧所發生的反應，怛并沒有說明氧化的生長機制。為了理解生長機制，我們可以想象把一片晶圓放到加熱室中，暴露在氧環境中[見圖7.8(a)]。開始時，氧原子與硅原子結合，這一階段是線性的( linear)，因為在每個單位時間里，氧的生長量是一定的[見圖7.8(b)]。大約長f iooo A后，線性生長率達到極限[1埃是l微米(斗m)的萬分之J(i¨m=10 000 A)]。