步進式光刻機：雖然掃K9F1G08UOM描投影光刻機是在生產工作中超越接觸式光刻機的一個重大飛躍，但它們仍有一些局限性，比如說與全局掩膜、圖形失真，以及掩模版r：的塵埃和玻璃損壞造成的缺陷相關的對準和套準問題。

  下一步是直接把圖像從掩模版上分步曝光到晶圓表面上（見圖8. 47），它與制造掩模版的技術是相同的．j帶有一個或幾個芯片圖形的放大掩模版被對準、曝光，然后步進( stepped)到下一個曝光場，重復( repeated)這樣的過程。這種放大掩模版比全局掩模版的質量高，因此產生缺陷的數量就更小。由于每個芯片分別對準，使得套準和對準變得更好。分步的過程使更大直徑的晶圓能夠精確匹配。它的其他優點還有：由于每次曝光區域變小，以及對塵埃敏感性的減小，分辨率得以提高。有些步進式光刻機是1:1型的，就是掩模版上的圖形尺寸與晶圓I二需要的圖形尺寸相同。、其他的則采用為最終尺寸5—10倍的掩模版，它們被稱為縮小步進光刻機( reduction stepper)。制造加大尺寸的放大掩模版更加容易，而且塵埃和玻璃的細小變形會在曝光過程中減小乃至消失（見圖8.50）。一般來說，縮小倍數×5是較佳的。