駐波
發布時間:2015/11/3 20:05:33 訪問次數:1861
在10.5.2節已提到理想的曝光狀態應該是輻射光波與晶圓表面成900角直接照射。NCP305LSQ28T1如果只考慮反射現象，上面這句話足對的。然而，垂直照射會引起另外一個問題，那就是駐波。，當光線從晶圓表面反射回光刻膠時，反射光線會與入射光線發生相長干涉或相消干涉現象，從而形成能量變化區（見圖10. 24）。顯影后，形成波紋側墻和分辨率的損失。有許多辦法町以改善駐波問題，包括在光刻膠中添加染色劑和分別將防反射涂層直接涂在晶圓表面。大多數正膠工藝都在光刻膠顯影前加入曝光后烘焙( PEB)。烘焙的目的是減少駐波對圖形側墻的影響。
在10.5.2節已提到理想的曝光狀態應該是輻射光波與晶圓表面成900角直接照射。NCP305LSQ28T1如果只考慮反射現象，上面這句話足對的。然而，垂直照射會引起另外一個問題，那就是駐波。，當光線從晶圓表面反射回光刻膠時，反射光線會與入射光線發生相長干涉或相消干涉現象，從而形成能量變化區（見圖10. 24）。顯影后，形成波紋側墻和分辨率的損失。有許多辦法町以改善駐波問題，包括在光刻膠中添加染色劑和分別將防反射涂層直接涂在晶圓表面。大多數正膠工藝都在光刻膠顯影前加入曝光后烘焙( PEB)。烘焙的目的是減少駐波對圖形側墻的影響。
相關技術資料- 11-3駐波
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