水平垂直流PECVD:該系統遵儋了底部餅式加熱，垂直流CVD設計（見圖12.19）。GE28F640W18BD80通過由電極板或其他等離子體射頻，在反應室頂部形成等離子體。安裝在晶圓托架下面的輻射加熱器加熱晶圓，形成冷壁淀積系統。用PECVD系統，除了標準的LPCVD反應室中的參數外，還要對其他幾個重要參數進行控制。這些參數是射頻功率密度、射頻頻率和周期占空比。總之，薄膜淀積的速度提高了，但必須有效控制和防止薄膜應力和／或裂紋。

   由諾發( Novellus)公司開發的另一種設計讓晶圓固定在一系列電阻絲加熱的承片架上。這些晶圓在具有薄膜建立的反應腔周圍按指針增加。

   單片反應室PECVD系統（見圖12. 20）的反應室較小，并且其余的晶圓暴露在特定的條件下，所以更需要有效的控制。通常，單片統處理速度慢于批處理系統。與大反應室批處理設備相比，片反應系統的生產效率的差異來源于晶圓快速進入反應室的方法和如何對真空的快速提升和釋放。裝載系統采用將晶圓放入預反應室，抽真空到預定的壓力，然后將晶圓移送到淀積反應室的方式，增加生產效率。