伏安特性和發光亮度與電流關系。發光二極管的伏安特性（電流一電壓特性）曲線和普通的二極管相似，如圖2.10所示。對于正向特性， NE555D電壓在開啟點以前幾乎沒有電流；電壓超過開啟點就顯示出歐姆導通特性，這時正向電流，m為復合因子，它標志器件發光特性的好壞，1≤m≤2。工作電流一般為5～50 mA。電流的進一步增加會引起發光二極管輸出光強飽和，直至損壞器件。因此，在典型的偏置電路申，串聯電阻使通過發光二極管的電流不會超過允許值。開啟點隨半導體材料的不同而不同，如GaAs約為1V，GaP為1.8～2V。在發光工作狀態，壓降為0.3～0.5 V。

   對于反向特性，只有很小的反向電流流過管子，當反向電壓加大到一定程度時，反向電流突然增大，出現反向擊穿現象。要不使發光二極管因反向電流過大而燒壞，只需接上一只保護二極管即可，如圖2.11所示，發光二極管的反向擊穿電壓一般在-5 V以上。如果用脈沖供電，只要平均電流不超過最大值，最大峰值電流就可以更大些，從而得到更高的發光強度。

   圖2.10發光二極管的伏安特性    圖2.11簡單的發光二極管偏置電路

   發光二極管翟PN結通以正向電流時，發光亮度基本上與正向電流密度成線性關系，這個電流范圍在幾十毫安以內。電流的迸一步增加會引起發光二極管發光亮度飽和，直至損壞器件。因此，使用時應控制正向電流密度，圖2.12所示為幾種發光二極管的光出射度Me與電流密度／的關系。