半導體激光器是以半導體材料作為工作物質的激光器，如砷化鎵GaAs、硫化鎘CdS、鉛錫碲PbSnTe等。外界激發源的激發方式有PN結正向注入、NNCD4.3D-T1-A/B電子束激發、光激發及粒子碰撞電離激發等。PN結正向注入半導體激光器又稱結型激光器。

   半導體激光器的原理與前面討論過的發光二極管沒有太大差異，PN結就是激活介質。囹2.18所示為砷化鎵同質結二極管激光器的結構，兩個與結平面垂直的晶體解理面構成了諧振腔。PN結通常用擴散法或液相外延法制成。當PN結正向注入電流時，則可激發激光。

   根據材料及結構的不同，目前半導體激光器的波長為0.33～44 ym。光輸出一電流特性如圖2.19所示，其中受激發射曲線與電流軸的交點就是該激光器的閾值電流，它表示半導體激光器產生激光輸出所需的最小注入電流。閾值電流還會隨著溫度的升高而增大。閾值電流密度是衡量半導體激光器性能的重要參數之一，其數值與材料、工藝、結構等因素密切相關。

   半導體激光器體積小，質量小，壽命長，具有較高的轉換效率。如砷化鎵激光器的效率可達20%，壽命超過10 000小時。半導體激光器是目前最受重視的激光器，商品化程度高。隨著半導體技術的快速發展，新型的半導體激光器也不斷出現。目前可制成單模或多模、單管或列陣，波長為0.4～1.6“m，功率由毫瓦數量級到瓦數量級的多種類型半導體激光器。它們可應用于光通信、光存儲、光集成、光計算機和激光器泵浦、光學測量、自動控制等方面。

   以上介紹了4種不同類型的激光器。實用激光器的類型很多，各種類型激光器的性能差異比較大，因此在選用時，還需根據實際要求做出相應的選擇，這里不再逐一介紹。