利用某些物質的電光效應可以制成電光器件，具有電光效應的光學介質受到外電場作用時，H7N1004DS它的折射率將隨著外電場變化。因此，光在晶體中傳播的性質可用電場對光學介質折射率的影響來描述。

   電光效應有兩種：一種是外電場作用在壓電晶體上時，使晶體產生非對稱性，從而使通過該晶體的光束產生雙折射，雙折射率的差與外電場強度的一次方成正比，稱為泡克耳斯( Pochels)效應，也稱一次電光效應；另一種是某些各向同性的介質，在強場的作用下變成各向異性，光束通過這些介質會產生雙折射現象，雙折射率的差與外電場強度的平方成正比，稱為克爾( Kerr)效應。

   利用克爾效應制成的調制器稱為克爾盒，如圖3.11 (a)所示；利用泡克耳斯效應制成的調制器稱為泡克耳斯盒，其中的光學介質為非中心對稱的壓電晶體。泡克耳斯盒又可分為縱向和橫向調制器兩種，它們在光路中的放置如圖3.11 (b)和(c)所示。