硅光電二極管兩端電壓
發布時間:2016/1/26 21:02:32 訪問次數:1497
硅光電二極管兩端電壓,是非線性函數,可利用圖解法進行計算。如圖5.28 (c)所示, H5PS1G63EFR-Y5C在伏安特性曲線上畫出負載線U(/)=饑- /RL,它是一條斜率為- 1/RL.通過U=饑點的直線,與縱軸交于既/RL點。由于串聯回路中流過各回路元件的電流相等,負載線和對應于輸入光通量為哦時的器件伏安特性曲線的交點Q即為輸入電路的靜態工作點。當輸入光通量由哦改變士△函時,在負載電阻RL上會產生+AU的電壓信號輸出和土Ⅳ的電流信號輸出。
上述圖解法特別適用于大信號狀態下的電路分析。例如,在大信號檢測情況下可以定性地看到輸出信號的波形畸變;在用作光電開關的情況下可以借助圖解法合理地選擇電路參數,使之能可靠地開關,同時保證不使器件超過其最大工作電流、最大工作電壓和最大耗散動率。圖5.29給出了輸入電路參數RL和既對輸出信號的影響。在圖5.29 (a)中,當偏置電壓Ub不變時,對于同樣的輸入光通量哦士△多,負載電阻R的減小會增大輸出信號電流而使輸出電壓減小。但RL的減小會受到最大工作電流和功耗的限制。為了提高輸出信號電壓,應增大RL,但過大的RL會使負載線越過特性曲線的轉折點M而進入非線性區,而在非線性區,光電靈敏度Se= A//A<P不再是常數,這會使輸出信號的波形發生畸變。另外,在圖5.29 (b)中,對應于相同的RL值,當偏置電壓饑增大時,輸出信號電壓的幅度也隨之增大,并且線性度得到改善;但電路的功耗隨之加大,并且過大的偏置電壓會引起光電二極管的反向擊穿。利用圖解法確定輸入電路的負載電阻RL和反向偏壓‰值時,應根據輸入光通量的變化范圍和輸出信號的幅度要求使負載線稍高于轉折點M,以便得到不失真的最大電壓輸出,同時保證乩不大于器件的最大工作電壓Um。
硅光電二極管兩端電壓,是非線性函數,可利用圖解法進行計算。如圖5.28 (c)所示, H5PS1G63EFR-Y5C在伏安特性曲線上畫出負載線U(/)=饑- /RL,它是一條斜率為- 1/RL.通過U=饑點的直線,與縱軸交于既/RL點。由于串聯回路中流過各回路元件的電流相等,負載線和對應于輸入光通量為哦時的器件伏安特性曲線的交點Q即為輸入電路的靜態工作點。當輸入光通量由哦改變士△函時,在負載電阻RL上會產生+AU的電壓信號輸出和土Ⅳ的電流信號輸出。
上述圖解法特別適用于大信號狀態下的電路分析。例如,在大信號檢測情況下可以定性地看到輸出信號的波形畸變;在用作光電開關的情況下可以借助圖解法合理地選擇電路參數,使之能可靠地開關,同時保證不使器件超過其最大工作電流、最大工作電壓和最大耗散動率。圖5.29給出了輸入電路參數RL和既對輸出信號的影響。在圖5.29 (a)中,當偏置電壓Ub不變時,對于同樣的輸入光通量哦士△多,負載電阻R的減小會增大輸出信號電流而使輸出電壓減小。但RL的減小會受到最大工作電流和功耗的限制。為了提高輸出信號電壓,應增大RL,但過大的RL會使負載線越過特性曲線的轉折點M而進入非線性區,而在非線性區,光電靈敏度Se= A//A<P不再是常數,這會使輸出信號的波形發生畸變。另外,在圖5.29 (b)中,對應于相同的RL值,當偏置電壓饑增大時,輸出信號電壓的幅度也隨之增大,并且線性度得到改善;但電路的功耗隨之加大,并且過大的偏置電壓會引起光電二極管的反向擊穿。利用圖解法確定輸入電路的負載電阻RL和反向偏壓‰值時,應根據輸入光通量的變化范圍和輸出信號的幅度要求使負載線稍高于轉折點M,以便得到不失真的最大電壓輸出,同時保證乩不大于器件的最大工作電壓Um。
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