電壓放大器
發布時間:2016/2/1 20:50:49 訪問次數:1828
圖8.5(b)是電壓放大器lC變換電路，硅光電二極管的正端接在運算放大器的正端，GFD50N03運算放大器的漏電流比光電流小得多，具有很高的輸入阻抗。當負載電阻RL取1 MQ以上時，運行于硅光電池狀態下的硅光電二極管處于接近開路狀態，可以得到與開路電壓成正比的輸出信號.
阻抗變換型
反向偏置硅光電二極管或PrN硅光電二極管具有恒流源性質，內阻很大，且飽和光電流與輸入光照度成正比，在很高的負載電阻情況下可以得到較大的信號電壓，但如果將這種處于反偏狀態下的硅光電二極管直接接到實際昀負載電阻上，則會因阻抗的失配而削弱信號的幅度，因此需要有阻抗變換器將高阻抗的電流源變換成低阻抗的電壓源，然后再與負載相連。圖8.5(c)所示的以場效應管為前級的運算放大器就是這樣的阻抗變換器，該電路中場效應管具有很高的輸入阻抗，光電流是通過反饋電阻R形成壓降的.
另一方面也可計算出硅光電二極管直接與負載電阻相連時，負載上的功率等于/p2 RL。比較以上兩種情況可見，采用阻抗變器可以使功率輸出提高(Rf／RL)2倍。例如，當RL =1MQ，墨=10 MQ時，功率提高100倍。這種電路的時間特性較差，但用在信號帶寬沒有特殊要求的緩變光信號檢測中，可以得到很高的功率放大倍數。此外，用場效應管代替雙極性晶體管作為前置級，其偏置電流很小，因此適用于光功率很小的場合。
圖8.5(b)是電壓放大器lC變換電路，硅光電二極管的正端接在運算放大器的正端，GFD50N03運算放大器的漏電流比光電流小得多，具有很高的輸入阻抗。當負載電阻RL取1 MQ以上時，運行于硅光電池狀態下的硅光電二極管處于接近開路狀態，可以得到與開路電壓成正比的輸出信號.
阻抗變換型
反向偏置硅光電二極管或PrN硅光電二極管具有恒流源性質，內阻很大，且飽和光電流與輸入光照度成正比，在很高的負載電阻情況下可以得到較大的信號電壓，但如果將這種處于反偏狀態下的硅光電二極管直接接到實際昀負載電阻上，則會因阻抗的失配而削弱信號的幅度，因此需要有阻抗變換器將高阻抗的電流源變換成低阻抗的電壓源，然后再與負載相連。圖8.5(c)所示的以場效應管為前級的運算放大器就是這樣的阻抗變換器，該電路中場效應管具有很高的輸入阻抗，光電流是通過反饋電阻R形成壓降的.
另一方面也可計算出硅光電二極管直接與負載電阻相連時，負載上的功率等于/p2 RL。比較以上兩種情況可見，采用阻抗變器可以使功率輸出提高(Rf／RL)2倍。例如，當RL =1MQ，墨=10 MQ時，功率提高100倍。這種電路的時間特性較差，但用在信號帶寬沒有特殊要求的緩變光信號檢測中，可以得到很高的功率放大倍數。此外，用場效應管代替雙極性晶體管作為前置級，其偏置電流很小，因此適用于光功率很小的場合。
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