半導體四象限探測器通常由4個光電池排列形成直角坐標制作在共同的襯底上，彼此DAC0832LCN絕緣，有單獨的信號輸出端。在有光斑投射到表面時，各象限光電池的輸出信號與所接收的光能量成正比，因此能用以測出光斑的光亮度中心。若光斑形狀是規則和已知的，則可借以確定它的幾何位置。根據四象限探測器坐標軸線和測量系統基準線間安裝角度的不同，可將它的應用方法分為和差電路和直差電路兩種方式。

   和差電路式

   圖9.36給出了和差電路的連接方法。這種方式連接時，器件的坐標線和基準線間水平安裝。電路的連接是先計算相鄰象限的和，再計算和信號的差。設光斑形狀為彌散圓，在探測器四象限I、II、ni、IV上所占的面積分別是Sl、S2、S3、S4，光斑直徑為d，光斑中心為D，。光斑的光密度均勻，光斑相對探測器中心D的偏移OO' -p可用直角坐標@，力表示。測量范圍pmax<d。將探測器各象限的輸出信號按圖連接.

   在小偏移情況下，輸出信號與輸入偏移量成正比，當x>1時輸

出信號飽和。

   和差電路的特點是，測量靈敏度較高，非線性影響較小，對目標光斑的不均勻性適應性較強，適用于高精度的定電路復雜，需要進行圖9.37虬=矽(z)的特性曲線多次和差運算，各環節性能的差異會引起測量誤差。