具體擊穿過程一般認為是一個熱、電過程AD623AR。隧穿電流與陰極場強有關。這涉及Si-Si02（或Al- Si0：）界面不可能絕對平整，微觀上可能存在一些突起，使局部電場增強，也可能氧化層中某處存在一些雜質或缺陷，使界面勢壘高度降低，這都使該薄弱處首先產生隧道電子流。在外場作用下，電流呈絲狀形式漂移穿過Si0：膜，這種絲狀電流直徑僅數納米，電流密度很大，而Si0。的熱導率裉低(300K時約為0.OIW／(cm．℃))，局部地區產生很大的焦耳熱使溫度升高，溫升又促進F-N電流增加，這樣相互促進的正反饋作用，最終形成局部高溫，如不能及時控制電流的增長，可使鋁膜、Si02膜和硅熔融，發生燒毀性擊穿。

   當前，對柵氧擊穿主要是由負電荷的電子或正電荷的空穴起主要作用的問題，尚無明確結論，文獻報道中說明是正電荷空穴積累得很多。但也不能否定電子的作用，所以可能兩者都起作用，只是何種（可能是空穴）為主的問題。