(1)形成固溶體

   鋁在硅中幾乎不溶解， AD8232ACPZ而硅在鋁中有一定溶解度，在共晶點577℃時達到原子比最大值1. 59%。鋁與硅反應是鋁先與天然的Si02層反應，穿透S102后讓鋁、硅接觸，隨后硅原子向鋁中擴散并溶解，逐步形成滲透坑。

   (2)硅在鋁中的電遷移

   固體溶解在鋁膜中的硅原子，由于分布不均勻，存在濃度梯度，逐步向外擴散。如有電流通過，電子的動能也可傳遞給硅原子，使之沿電子流方向移動，即產生電遷移。鋁一硅界面不僅有質量傳遞還有動量傳遞，可引起PN結短路（如NPN晶體管的基區接觸窗口）。

   (3)鋁在硅中的電熱遷移

   在高溫、高的溫度梯度和高電流密度區，鋁一硅界面可發生鋁的電熱遷移。這種遷移通常沿PN結在Si-S102界面處的硅表面進行，其溫度梯度最大、熱阻最小、路徑最短處呈絲狀滲入，形成通道；也可縱向進行，硅不斷向鋁中擴散，遠離界面向鋁表面遷移，同肘在硅中留下大量空位，加劇Al-Si接觸孔處鋁在硅中的電熱遷移，使鋁進入硅后的滲透坑變深變粗，形成合金釘，嚴重時可穿越PN結使之短路。順便指出：對于金，由于其與硅的共晶點溫度僅為377℃，當溫度大于325℃時金的電熱遷移比鋁更快，器件更易失效。所以，一般情況下，不能使金膜與硅直接接觸，中間必須加阻擋層。

   必須指出，鋁一硅界面因局部電流集中出現熱斑而發生的上述三個物理過程，幾乎同時發生，而且相互作用，互有影響，加速器件失效。硅向鋁中溶解，硅中留下大量空位，加劇了鋁在硅中的電熱遷移，反過來鋁中空位濃度增加，又加劇了硅在鋁中的擴散和電遷移。