氧化層中存在上述4種電荷，當這些電荷位置或密度變化時，調制了硅表面勢，因此RF2048凡是與表面勢有關的各種電參數均受到影響。如對雙極性器件，導敢電流增益和PN結反漏電電流變化，擊穿電壓蠕變等。對MOS器件引起閾值電壓及跨導漂移，甚至源一漏擊穿；對電荷耦合器件則引起轉移效率降低等。在這4種電荷中，以可動離子電荷最不穩定，對器件可靠性的影響最大。

   氧化層電荷對可靠性的影響有下述幾方面。

   增加PN結反向漏電電流，降低結的擊穿電壓

   當氧化層中Na+全部遷移至Si0。表面時，Qm等于“零”；當Na+全部集中在Si-S102界面時，Qm為最大。在PNP晶體管中，它可使P區表面反型，形成溝道漏電電流，從而引起擊穿，如圖4.5所示。在NPN晶體管中引起基區表面反型，產生溝道，導致TTL電 路多發射極晶體管交叉漏電增加，輸出管高電平幅度降低，甚至失效。