在50多年的發展過程中,世界集成AD8403ARZ10電路產業為了適應技術的發展和市場需求,其產業結構經歷了3個主要階段。

   第一個階段:1960年前后,隨著平面工藝的發展,加上表面態問題得到了有效控制,以及實現了對器件結構尺寸的精確控制,表面和結型場效應器件獲得應用。

   美國貝爾實驗室的Kahng及Atalla成功研制出第一只MOsFET,通過在氧化層表面上沉積一層極小的鋁層,稱為柵極,實現了電流的控制。⒛世紀⒛年代早期,主要器件為P溝道鋁柵MOsFET。由于無法控制鈉離子的污染,N溝道鋁柵MOsFET的閾值電壓較大,為常開型(耗盡型)器件,很難得到增強型N溝道MOSFET,因而應用上受到很大限制。這一時期是以加工制造為主的初級階段,IC設計和半導體工藝密切相關,主要以人工為主。

   第二個階段:20世紀80年代,自對準多晶硅柵互補金屬氧化物半導體場效應晶體管(CMOs)工藝得到應用。由于采用了自對準工藝,導致寄生電容非常小,并且改善了器件的可靠性。隨著工藝和設計復雜度的日益增加,工藝與設計逐步分離,Foundry線(標準工藝加工線)公司與IC設計公司開始崛起。1980年,美國加州理工學院的Mead和Conway出版了《In“oduction to VLsI system》一書。書中提出了以“λ設計規則”和“等比例縮小”定律為主要內容的IC設計與工藝制作相對獨立的思想。此外,這一時期IC CAD技術也發展到一個新的階段,能為設計提供方便的原理圖編輯、仿真驗證和版圖自動布局布線等功能。