Al膜是比較活潑的金屬,在大氣HCF4051BEY下易被氧化形成Abα,A12α會帶來如下影響:

   (1)接觸電阻增大;

   (2)抑制濺射;

   (3)A1203與P易形成HPo3,HP⒐會與Al反應,引起腐蝕。

   芯片的制造過程中不希望有小丘的產生,但實際上工藝過程中難以避免。產生小丘基本有如下幾個因素:

   (l)H2易引起小丘;

   (2)預除氣不充分;

   (3)高溫易引起Si的沉積,產生小丘;

   (4)被污染的薄膜易產生小丘。

   如果薄膜內含有△,可抑制小丘的產生,這就是Al靶材加入少量△的原因,降低小丘的方法有:

   (1)Al膜濺射后快速冷卻;

   (2)降低濺射溫度;

   (3)降低膜的厚度;

   (4)降低⒐的合金含量。