在過去的50年中,電子工業持續顯著的增長在很大程度上是由于出現了更小、更輕、CY27C256-70WC更快和更便宜的半導體產品。目前基于1犰m特征尺寸的硅集成電路的先進產品正在30Omm直徑的硅襯底上制造。21世紀的半導體生產將受到多種變化因素的影響,生產中新材料的引入是工藝集成中最為困難的問題之一,新材料的引入可帶來器件的優良性能,但新材料引入的缺陷將決定半導體產品的性能、成品率和可靠性。

   缺陷的分類

   隨著尺寸的縮小和縱橫比的上升,缺陷類型將限制新一代半導體的成品率。由于新工藝和新材料,缺陷的復雜度也提高了。界面的原子粗糙度將在確定缺陷類型和分布中起關鍵作用。因此,一種缺陷檢測工具不能滿足所有用途。光學顯微術將達到極限,對于任何250nm以下的測量,最好的光學顯微鏡也只能產生模糊的點。缺陷可廣泛歸類為隨機或系統缺陷。隨機缺陷――隨機缺陷定義為晶圓上性質為隨機的缺陷。對于新一代產品,隨機缺陷將和今天遇到的相同,但缺陷的可容許尺寸將相應縮小。例如,對于250nm特征尺寸的電路,80nm的粒子在引起掩模針孔或刻蝕鼠咬(Mouse bitc)等情況下是可以承受的。但對于特征尺寸10Onm的生產來說,需要降低到40nm。對潔凈室、化學供應、設備負載和現場工藝等要格外注意。