有機物沾污主要是指含碳物質。有機物沾污的一些來源包括細菌、蒸氣、清潔劑、溶劑及潮氣等。 OP213FSZ-REEL7在特定的工藝條件下,微量有機物沾污能降低柵氧化層材料的致密性。

   當硅片暴露于空氣或含溶解氧的去離子水中時,硅片表面將被氧化,生成一層薄的自然氧化層。自然氧化層的厚度隨暴露時間的增長而增加。自然氧化層將會對其他的工藝步驟產生影響,如外延的生長、超薄柵氧化層的生長等。自然氧化層也可能含有某些可動金屬離子。自然氧化層存在于金屬半導體的歐姆接觸區將會導致器件接觸電阻增加,甚至導致金屬和有源區不能接觸。

   靜電釋放也是一種形式的沾污,靜電荷轉移時可能損害芯片。靜電放電的能量積累在硅片表面很小的一個區域內。發生在幾納秒內的靜電釋放能產生超過1A的峰值電流,可能使得金屬互連線蒸發。靜電釋放也可能導致柵氧化層被擊穿,使得器件在出廠前就己經損壞。另外,靜電釋放導致電荷在硅片表面積累,積累的電荷

產生的電場能吸引帶電顆粒或極化并吸引中性顆粒到硅片表面。隨著器件關鍵尺寸的縮小,靜電釋放對更小顆粒的吸引變得越來越重要。