類似規律,Mo源分子的相對分子質量越大,熔點或沸點就會越高,而蒸氣壓則越低。 A915AY-101M例如,TMGa和TEGa同為Ga的Mo源,TMGa的相對分子質量為114.82,小于TEGa的156,91,其沸點(557℃)則也低于TEGa的沸點(143℃)。在不同金屬MO源中,如相對分子質量為114。眨的TMGa蒸氣壓(在⒛℃為⒉3,⒄hPa)比相對分子質量為159.93的TMh(⒛℃為2,27hPa)的蒸氣壓高。然而也有表象上的特例:TM川的相對分子質量雖為”09,但它的蒸氣壓(在⒛℃為11.6hPa)卻比相對分子質量大的TMGa還低。實際的原因是,TMAl在氣相中是以二聚體形態存在,其相對分子質量應為1狃,18,大于TMGa的1l4.82,其蒸氣壓低于TMGa就比較好理解了。在系列Mo源中,在相對分子質量相近時,有機集團機構越復雜則蒸氣壓越高。此外,液體中分子間的相互作用也強烈地影響蒸氣壓。一般來說,比較高級、分叉較多的分子相互作用比較弱,蒸氣壓也就比較高。

   以上Mo源的各自的穩定性及蒸氣壓力特點之間的差異,在實際使用時都會加以考慮,且有針對性地對每種Mo源的源瓶壓力和溫度(水浴槽溫度)甚至源瓶聯結組合方式都做個性化設定。例如,TMGa因其蒸氣壓低,易于揮發,供源效率高,通常其源瓶溫度設定在一10℃~10℃之間就足以滿足反應所需的用量。而且,也因其供源效率高,TMGa目前是快速生長GaN本征層和n型G瘀層的主要Mo源。相應的,當需要用很小流量的TMGa生長量子阱等精細結構時,反而會特別設置雙稀釋管路,以便有節制地實現小流量精準供應。TMAl源瓶溫度如果低于15℃,則其會在源瓶內“凍結”而難以有效供應氣源。其源瓶溫度通常設置在17~25℃之間。