對窗口層的要求有如下兩點:第一,窗口層對有源區輻射的光應是透明的,光吸收盡可能小;HER304第二,窗口層的電導率應盡可能高,以利于電流的橫向擴展。可以想到的最簡單的方法是通過增加p型AlGaInP限制層厚度來提高電流橫向擴展,然而,如上節所述,AlGaInP限制層很難實現有效的高濃度p型摻雜,另外,由于厚層AlGaInP與襯底間晶格失配而產生的應力不可忽視,產生的位錯可能會傳到有源區。

    另外兩種可選的窗口層材料是AlGaAs和GaP。A1Ga1.^s與GaAs襯底晶格匹配,當豸)0.7時對紅光到黃綠光波段都是透明的,且A廴GaI“As材料能實現p型重摻雜。A廴Ga1~As材料可利用MOCVD在AlGaInP材料上直接外延生長。以A1GaI~As材料作為窗口層的一

個潛在缺點是其遇到水汽后會不穩定。GaP窗口層對紅黃光也是透明的,且GaP很容易實現重摻雜,但GaP與GaAs間存在著高達3.6%的失配度。對GaPoH界面的TEM研究表明,GaP的大量位錯只發生在剛開始生長的lOO~⒛0nm范圍內,且這些位錯也不會向有源區傳播。另外,這些位錯對GaP的透光率和電導率沒有影響。GaP窗口層可由MOCVD直接外延生長,也可利用氣相外延(VPE)法進行特厚層(約50um)GaP的二次外延。

   臺灣清華大學的Cllong-Ⅵ Lcc等比較了以AlGaAs和GaP為窗口層對AlGaInP LED性能的影響[l劍。除了窗口層以外,兩種LED的其他結構完全相同,其中AlG獻s窗口層是厚度為4.5um的Zn摻雜A1075Ga025As材料,GaP窗口層也采用Zn摻雜,厚度為3.5um。外延選用(10ω偏角10°的si摻雜GaAs為襯底,V族源為AsH3和PH3,DMZn為Zn摻雜源。A1075GaO25As材料的外延溫度為725℃,Ⅴ/III比為190,GaP的外延溫度為780℃,V/III比為侶0。采用大偏角的襯底和高的GaP生長溫度是為了獲得良好的G滬界面。